TSMC, High-NA EUV ile yeni nesil çip üretimine hazırlanıyor
Yarı iletken endüstrisinin önde gelen ismi olarak bilinen TSMC, çip üretiminde büyük bir atılım yapacak yeni bir teknolojiye yatırım yapıyor. Şirket, ünlü Hollandalı üretici ASML’den ilk High-NA EUV litografi sistemini 2024 yılının sonuna kadar temin ederek Hsinchu Ar-Ge merkezine kurmayı planlıyor. Bu hareket, TSMC’nin 2nm altı süreç geliştirme hedefine ulaşmada kritik bir rol oynayacak.
TSMC, High-NA EUV teknolojisine hazır
Yarı iletken üretiminde çığır açıcı bir adım olarak kabul edilen High-NA EUV litografi teknolojisi, standart EUV sistemlerine kıyasla daha yüksek çözünürlük ve hassasiyet sunuyor. Bu teknoloji sayesinde, çiplerdeki desenleme işlemi çok daha ince bir seviyeye ulaşabiliyor, bu da yapay zeka ve benzeri gelişmiş teknolojiler için gereken ileri düzey çiplerin üretimini sağlıyor.
TSMC, High-NA EUV tarayıcılarını 1.4nm üretim sürecinde (A14) kullanmayı hedefliyor. 2027 yılında seri üretime geçilmesi planlanan bu süreç, TSMC’nin 2nm ve altında teknolojilerdeki liderliğini daha da güçlendirecek. Ancak sistemlerin tam kapasiteyle çalışabilmesi için yoğun testler ve süreç optimizasyonları gerekecek. Bu sistemler faaliyete geçtiğinde, TSMC’nin mevcut yeteneklerinin ötesinde birkaç teknolojik nesli temsil eden A10 düğümüne geçeceği tahmin ediliyor. Ayrıca TSMC, 2026 yılında N2 (2nm) sürecini de devreye alacak.
TSMC, liderliğini güçlendirecek
2019 yılında N7+ süreciyle ticari EUV litografisini kullanan ilk üretici olan TSMC, o zamandan beri EUV sistemlerini hızla genişletmiş ve şu anda dünya genelindeki EUV kurulumlarının %56’sına sahip durumda. 2022 yılında 84 EUV sistemi işleten TSMC, bu sayıyı 2023 yılında 100’ün üzerine çıkarmış durumda.
High-NA EUV sistemlerinin teslimatları için 400 milyon dolar civarında bir maliyetle bu yıl başlayan ASML, ilk teslimatları Intel’e gerçekleştirdi. Şimdi ise TSCM’nin sırası geldi gibi görünüyor. Ayrıca, TSMC’nin bu ekipmanlara erken erişimi, Samsung Electronics ile yetenek farkını daha da belirginleştirebilir.